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SM3400SRL-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- SM3400SRL N沟道MOSFET采用SOT-23微型封装，专为紧凑型和高效能电路设计。该器件拥有30V的高击穿电压(VDSS)，可承载高达5.8A的连续漏极电流(ID)，并具备出色的导通性能，导通电阻仅为28mR(RD(on))。凭借这些特性，SM3400SRL 适用于开关电源转换、大电流电机驱动和其他高功率应用场合，旨在提升系统效能，降低能耗，是您的电路设计理想之选。
- 商品型号
- SM3400SRL-HXY
- 商品编号
- C22367218
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMG3418L采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5.8A
- RDS(ON) < 30 mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源