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FDN306P-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- FDN306P P沟道MOS管采用小型化的SOT-23-3L封装，专为高效率、低阻抗电路设计。器件亮点在于强大的电气规格，最大工作电压VDSS为20V，连续电流承载能力高达4.1A，且拥有超低导通电阻RD(on)仅为34mR，实现了卓越的电能转化效率与快速响应速度。广泛适用于电源转换、电机驱动、负载开关等应用环境，FDN306P 凭借其出色的性能表现与稳定质量，成为众多电子设计工程师的理想之选。
- 商品型号
- FDN306P-HXY
- 商品编号
- C22367221
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
NTMFS4C05N采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ（VGS = 10 V）
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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