立创商城logo
购物车0
IRLML6344PBF-HXY实物图
  • IRLML6344PBF-HXY商品缩略图
  • IRLML6344PBF-HXY商品缩略图
  • IRLML6344PBF-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLML6344PBF-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
IRLML6344PbF 是一款N沟道MOSFET,采用小型化无铅SOT-23封装,专为高效率、低功耗电路设计。器件具有30V的漏源电压额定值(VDSS),能够承载最大5.8A的漏极电流(ID),并配备出色的导通性能,导通电阻仅为28mR(RD(on))。广泛应用于开关电源转换、电机驱动及各类高功率电子设备,这款MOS管凭借其卓越的电流处理能力和能效表现,成为电路设计的理想组件之一。
商品型号
IRLML6344PBF-HXY
商品编号
C22367220
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0295克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))900mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)825pF
反向传输电容(Crss)78pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

数据手册PDF