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IRLML6344PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- IRLML6344PbF 是一款N沟道MOSFET，采用小型化无铅SOT-23封装，专为高效率、低功耗电路设计。器件具有30V的漏源电压额定值(VDSS)，能够承载最大5.8A的漏极电流(ID)，并配备出色的导通性能，导通电阻仅为28mR(RD(on))。广泛应用于开关电源转换、电机驱动及各类高功率电子设备，这款MOS管凭借其卓越的电流处理能力和能效表现，成为电路设计的理想组件之一。
- 商品型号
- IRLML6344PBF-HXY
- 商品编号
- C22367220
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
AOSS21319C采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -4.1A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 55mΩ
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET