温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
KMA2D4P20SA-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此场效应管为P型，电流3A，可满足一定小功率需求。电压20V，能在特定电路环境稳定工作。内阻典型值60mR，能量损耗相对适中。VGS为12V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中进行电流控制。
- 商品型号
- KMA2D4P20SA-HXY
- 商品编号
- C22367206
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027727克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
AOD4184A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 60A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源