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SM3416SRL-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- SM3416SRL 是一款高性能N沟道MOSFET，封装形式为紧凑型SOT-23，适合高密度电路板设计。该器件具备20V的额定电压VDSS和6A的强大连续电流ID，展现出卓越的电力管理性能。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)仅为14mΩ，有助于显著减少能量损耗，提升整体系统效率，是您优化电路设计、实现节能应用的理想之选。
- 商品型号
- SM3416SRL-HXY
- 商品编号
- C22367215
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
DMN2053U采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 6.0 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 27 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源