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FDV045P20L-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- FDV045P20L 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，适合高密度电子电路设计。该器件具有20V的最大工作电压VDSS，能稳定处理高达3A的连续电流，并且具备低至60mR的导通电阻RD(on)，确保了在高效运行中的低功耗表现。这款MOS管凭借其优秀的电气参数和小型化封装，广泛应用于电源转换、电池保护、以及便携式设备的DC-DC转换等领域，是高集成度设计方案的理想选择。
- 商品型号
- FDV045P20L-HXY
- 商品编号
- C22367205
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027727克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
FDN308P采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -3A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源