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DMN2053U-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流为6A，适用于中小功率电子设备。电压20V，能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值22mR，能量损耗相对较低。VGS为12V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电器中。
- 商品型号
- DMN2053U-HXY
- 商品编号
- C22367214
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMN2058U采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 6.0A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源