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AOSS21319C-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- AOSS21319C 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封装，适合空间有限的电路板设计。器件参数出众，最大漏源电压VDSS为30V，可支持4.1A的连续漏极电流ID，其导通电阻RD(on)仅为42mR，有效确保了在开关应用中的低功耗和高效能。广泛应用于电源管理、负载开关电路、电池保护系统以及各类便携式电子设备的低电压、中等电流控制场景。
- 商品型号
- AOSS21319C-HXY
- 商品编号
- C22367208
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
IRLML6246PBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 6.0 A
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 27 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源