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Si2312CDS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- Si2312CDS-T1-GE3 是一款高性价比N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适用于空间受限且需高效能的电子设计。器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，并能稳定提供6A的漏极电流(ID)，同时拥有低至22mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了优秀的电能转换效率和低功耗。广泛应用于电源管理、负载开关、马达驱动等场景，是小型化、节能型电子设备的理想半导体元件。
- 商品型号
- Si2312CDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367213
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |
商品概述
DMN2056U采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 6.0 A
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 27 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源