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DMN2058U-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN2058U-HXY

1个N沟道 耐压:20V 电流:6A

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描述
这款场效应管为N型,电流为6A,适用于中小功率场景。电压20V,能在特定电路中稳定运行。内阻典型值22mR,能量损耗处于合理范围。VGS为12V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定需求的电子设备进行电流控制。
商品型号
DMN2058U-HXY
商品编号
C22367211
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))700mV
属性参数值
输入电容(Ciss)630pF
反向传输电容(Crss)137pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)164pF

数据手册PDF