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DMN2058U-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流为6A，适用于中小功率场景。电压20V，能在特定电路中稳定运行。内阻典型值22mR，能量损耗处于合理范围。VGS为12V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定需求的电子设备进行电流控制。
- 商品型号
- DMN2058U-HXY
- 商品编号
- C22367211
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |
商品概述
NTR0202PL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -2.3A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 140mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用-负载开关-SOT-23-P沟道MOSFET