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IRLML6246PBF-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- IRLML6246PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高集成度和低功耗应用设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达6A的连续漏极电流(ID)，且拥有出色的导通电阻22mΩ(RD(on))，确保了卓越的能效表现。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是实现紧凑、高效电子系统不可或缺的半导体组件。
- 商品型号
- IRLML6246PBF-HXY
- 商品编号
- C22367212
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |
商品概述
IRLML6246PBF采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 6.0 A
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 27 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源