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FDN308P-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- FDN308P 是一款P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高密度电子电路设计。其核心性能包括最大漏源电压(VDSS)为20V，能稳定输出3A漏极电流(ID)，同时具有较低的60mΩ导通电阻(RD(on))，在低电压、中等电流应用中表现出色。这款MOS管适用于电源管理、负载开关控制、逻辑电平转换等功能场景，是优化系统效能和缩小产品体积的理想半导体元件。
- 商品型号
- FDN308P-HXY
- 商品编号
- C22367207
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027727克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
IRLZ44NPBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器