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DMP2225L-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流3A，可在小功率需求下发挥作用。电压20V，能适应特定电路环境。内阻典型值60mR，能量损耗处于一定水平。VGS为12V。在消费电子领域，可用于一些对电流和电压有特定要求的电子设备中进行电流控制。
- 商品型号
- DMP2225L-HXY
- 商品编号
- C22367204
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027727克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FDS6570A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至4.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V，漏极电流ID = 20A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 5.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源