温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO3442-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AO3442 是一款高效能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23-3L封装，适用于各种空间受限的电路设计。器件具备100V的高耐压VDSS，可承载2.2A的连续漏极电流ID，满足多种中等功率应用需求。其特点在于230mR的导通电阻RD(on)，在同类产品中展现出良好的能效比，广泛应用于电源转换、负载开关、马达控制以及其它要求低导通损耗的电子设备中。
- 商品型号
- AO3442-HXY
- 商品编号
- C22367198
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 312mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
Si2301BDS采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -3A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源