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AON1605-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- AON1605 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN1006-3L封装，适用于空间敏感和低功耗应用。器件提供20V的漏源电压VDSS，最大可处理0.8A的连续漏极电流ID，尤其适合用于电源开关、负载驱动等场合。其350mR的导通电阻RD(on)在同类型器件中表现出较好的能效水平，广泛应用于移动设备、消费类电子产品及各类便携式设备的电源管理和逻辑控制功能。
- 商品型号
- AON1605-HXY
- 商品编号
- C22367199
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
AON1605采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -0.8A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 560mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 780mΩ
- 静电放电等级：1500V HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源