SI7415DN-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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描述
SI7415DN-T1-GE3 是一款采用先进DFN3X3-8L封装技术的P沟道MOS管，以其紧凑结构和优良性能脱颖而出。其具备60V的高额定漏源电压VDSS，可承载20A连续电流ID，适合于高压应用环境。同时，导通电阻RD(on)仅为55mR，有效降低功率损耗，提高整体能效。这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是追求高效、节能电路设计的理想元件。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SI7415DN-T1-GE3-HXY商品编号
C22367201商品封装
DFN-8L(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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