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SI7415DN-T1-GE3-HXY
耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- SI7415DN-T1-GE3 是一款采用先进DFN3X3-8L封装技术的P沟道MOS管，以其紧凑结构和优良性能脱颖而出。其具备60V的高额定漏源电压VDSS，可承载20A连续电流ID，适合于高压应用环境。同时，导通电阻RD(on)仅为55mR，有效降低功率损耗，提高整体能效。这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是追求高效、节能电路设计的理想元件。
- 商品型号
- SI7415DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367201
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
FDD8447L采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V，ID = 60 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源