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NTR0202PL-HXY实物图
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NTR0202PL-HXY

1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A

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描述
此场效应管为P型,电流2.3A,可满足一定功率需求。电压20V,能在特定电路中稳定运行。内阻典型值120mR,能量损耗处于一定水平。VGS为12V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备进行电流控制。
商品型号
NTR0202PL-HXY
商品编号
C22367200
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))130mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)650mW
阈值电压(Vgs(th))700mV
栅极电荷量(Qg)2.9nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)285pF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)58pF
栅极电压(Vgs)±12V

数据手册PDF