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NTR0202PL-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流2.3A，可满足一定功率需求。电压20V，能在特定电路中稳定运行。内阻典型值120mR，能量损耗处于一定水平。VGS为12V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备进行电流控制。
- 商品型号
- NTR0202PL-HXY
- 商品编号
- C22367200
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
STD64N4F6AG采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V，ID = 60 A
- RDS(ON) < 8.5 mΩ（VGS = 10 V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源