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IRF9358PBF-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- IRF9358PbF 型号MOS管采用行业标准SOP-8封装，内置先进2个P沟道沟道技术，为高功率应用量身定制。器件具有30V的漏源耐压(VDSS)，能可靠处理高达11A的连续漏极电流(ID)，适应高强度电流环境。其核心技术亮点是仅14mR的超低导通电阻(RD(on))，有效提升了电力传输效率，并降低了系统损耗。该MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、及各种大电流开关控制系统，助您实现更高效、更节能的电子设计方案。
- 商品型号
- IRF9358PBF-HXY
- 商品编号
- C22367186
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
IRF7328PBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = - 30V，ID = - 11A
- 在VGS = - 10V时，RDS(ON) < 18mΩ
- 在VGS = - 4.5V时，RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关