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DMN2009USS-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流为20A，适用于中等功率场景。电压20V，可在特定电路中稳定运行。内阻典型值6.3mR，能量损耗不高。VGS为12V。在消费电子领域，可用于一些对电流要求较高的电子设备的电流调控。
- 商品型号
- DMN2009USS-HXY
- 商品编号
- C22367188
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116583克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品概述
DMP3028LSD采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -11A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关