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STD64N4F6AG-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- STD64N4F6AG 是一款高功率N沟道MOSFET，封装采用TO-252-2L，适合于大电流、高效率的应用场景。它具备高达40V的漏源电压VDSS，能承载峰值电流60A，充分满足大规模电力切换与负载驱动需求。其卓越之处在于7mR的超低导通电阻RD(on)，确保了在大电流工作状态下依然维持极低的功率损耗，实现高效能运作。
- 商品型号
- STD64N4F6AG-HXY
- 商品编号
- C22367194
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 64.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMP2215L采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -3A
- 在栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源