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STP4925-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STP4925-HXY

2个P沟道 耐压:30V 电流:11A

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描述
STP4925 型号MOS管采用SOP-8封装形式,内置先进2个P沟道沟道技术,专为中高电流应用设计。器件具有30V的漏源电压(VDSS),可在8.5A连续漏极电流(ID)下稳定工作,满足多种大电流需求。其突出特点是导通电阻低至20mR(RD(on)),有效提升了系统能效并减少不必要的能量损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动控制以及各种高效开关电源电路,是优化电路设计、实现节能目标的理想半导体元件选择。
商品型号
STP4925-HXY
商品编号
C22367191
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.115克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.345nF
反向传输电容(Crss)158pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)194pF

数据手册PDF