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STP4925-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- STP4925 型号MOS管采用SOP-8封装形式，内置先进2个P沟道沟道技术，专为中高电流应用设计。器件具有30V的漏源电压(VDSS)，可在8.5A连续漏极电流(ID)下稳定工作，满足多种大电流需求。其突出特点是导通电阻低至20mR(RD(on))，有效提升了系统能效并减少不必要的能量损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动控制以及各种高效开关电源电路，是优化电路设计、实现节能目标的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- STP4925-HXY
- 商品编号
- C22367191
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NDS332P采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -2.3A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 140mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- P沟道MOSFET