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FDD8445-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- FDD8445 是一款高性能N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，适用于各类高功率应用。器件亮点包括最大漏源电压(VDSS)高达40V，可轻松承载60A的连续漏极电流(ID)，并具有业界领先的7mΩ导通电阻(RD(on))，确保在大电流传输中实现极高的能效比。
- 商品型号
- FDD8445-HXY
- 商品编号
- C22367192
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 64.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SI4835DDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -11A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源