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SI4925BDY-T1-E3-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- SI4925BDY-T1-E3 型号MOS管采用紧凑型SOP-8封装，内部集成高效2个P沟道沟道技术。器件支持30V的漏源电压(VDSS)，能稳定处理8.5A的连续漏极电流(ID)，适用于各类中高电流应用场合。其亮点在于仅20mR的导通电阻(RD(on))，有效提升能源利用率并降低功耗。该MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动控制以及各类高效率开关电路设计，是工程师优化电路性能、实现节能目标的理想半导体组件。
- 商品型号
- SI4925BDY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22367190
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
SI4925BDY-T1-E3采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = - 30V，漏极电流（ID） = - 11A
- 当栅源电压（VGS） = - 10V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 18 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = - 4.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 27 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关