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FDS6570A-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- FDS6570A 型号MOS管采用主流SOP-8封装，内置高速N沟道技术，专为高效率功率转换设计。该器件具有20V的漏源耐压(VDSS)，可承载高达20A的连续漏极电流(ID)，展现出卓越的电流处理能力。尤其引人注目的是其低至6.3mR的导通电阻(RD(on))，有效提高系统效率并减少热损耗。此MOS管广泛应用在电源管理、快速开关电路、大电流负载驱动等场景，是您优化电路设计、提升产品性能的理想半导体组件。
- 商品型号
- FDS6570A-HXY
- 商品编号
- C22367187
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品概述
DMN2009USS采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V，漏极电流ID = 20A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 5.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源