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NTR1P02-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 这款场效应管为P型，电流为2.3A，电压20V。内阻典型值120mR。VGS为12V。在消费电子领域，可用于一些对电流和电压要求不高的小型电子设备中，起到电流控制和稳定电路的作用。
- 商品型号
- NTR1P02-HXY
- 商品编号
- C22367179
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
MMBF170-F采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V
- 漏极电流ID = 0.3 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 2 Ω
- 静电放电等级：人体模型HBM ≥ 2000 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源