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FDS4935BZ-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- FDS4935BZ 型号MOS管，采用SOP-8封装，内部集成了高效的2个P沟道沟道技术。此器件额定漏源电压(VDSS)高达30V，可承受稳定的11A连续漏极电流(ID)，尤其适用于高电流处理应用。值得一提的是，其优异的导通电阻低至14mR(RD(on))，在保证卓越性能的同时有效减少了功率损耗。此MOS管广泛运用于电源转换、电机驱动、以及高功率开关电路设计中，助力您构建更高效率的电子产品方案。
- 商品型号
- FDS4935BZ-HXY
- 商品编号
- C22367183
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FDS4935BZ采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -11A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关