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DMP3036SSD-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 这款场效应管为P+P型，电流为11A，可在一定功率范围内发挥作用。电压30V，能适应特定电路环境。内阻典型值14mR，能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域，可用于小型电子设备的电流控制。
- 商品型号
- DMP3036SSD-HXY
- 商品编号
- C22367185
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
STP4925采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = - 30V，ID = - 11A
- 当VGS = - 10V时，RDS(ON) < 18mΩ
- 当VGS = - 4.5V时，RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关