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DMP3036SSD-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP3036SSD-HXY

2个P沟道 耐压:30V 电流:11A

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描述
这款场效应管为P+P型,电流为11A,可在一定功率范围内发挥作用。电压30V,能适应特定电路环境。内阻典型值14mR,能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域,可用于小型电子设备的电流控制。
商品型号
DMP3036SSD-HXY
商品编号
C22367185
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.1155克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.345nF
反向传输电容(Crss)158pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)194pF

数据手册PDF