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AOSP21321-HXY
耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- AOSP21321 型号MOS管，封装形式为SOP-8，内置先进的P沟道技术。器件具备高达30V的漏源耐压(VDSS)，可承载强大的11A连续漏极电流(ID)，特别适合高电流应用场合。其引人注目的特点在于仅有13mR的超低导通电阻(RD(on))，有效提高能源效率，降低系统发热。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动及大电流开关控制等领域，是工程师优化电路设计的理想半导体组件。
- 商品型号
- AOSP21321-HXY
- 商品编号
- C22367181
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117588克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
AOSP21321采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = - 30V
- 漏极电流（ID） = - 11A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源