温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4835DDY-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SI4835DDY-T1-GE3 型号MOS管，采用SOP-8封装，内部集成高性能P沟道技术。本器件最大漏源电压(VDSS)达30V，支持高达11A的连续漏极电流(ID)，以满足严苛的大电流需求场景。其卓越的导通电阻仅13mR(RD(on))，在业界同类产品中表现出色，有助于提升系统效率并减少能量损失。广泛应用在电源管理、电机驱动及高电流开关控制器设计中，是您打造高效能电子产品的理想之选。
- 商品型号
- SI4835DDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367182
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTR1P02采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -2.3A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 140mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用-负载开关