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SI4835DDY-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- SI4835DDY-T1-GE3 型号MOS管，采用SOP-8封装，内部集成高性能P沟道技术。本器件最大漏源电压(VDSS)达30V，支持高达11A的连续漏极电流(ID)，以满足严苛的大电流需求场景。其卓越的导通电阻仅13mR(RD(on))，在业界同类产品中表现出色，有助于提升系统效率并减少能量损失。广泛应用在电源管理、电机驱动及高电流开关控制器设计中，是您打造高效能电子产品的理想之选。
- 商品型号
- SI4835DDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367182
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |