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NDS332P-HXY
耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- NDS332P MOS管，采用紧凑型SOT-23封装形式，内建P沟道结构，性能卓越。该器件具有20V的最高漏源击穿电压(VDSS)，能在安全电压范围内稳定工作，同时提供高达2.3A的连续漏极电流(ID)，确保强大驱动能力。尤其值得关注的是其超低导通电阻RD(on)仅120mR，显著降低了功率损耗并提升了整体系统效能。适用于电源管理、开关调节等电路设计，是您实现高效能应用的理想之选。
- 商品型号
- NDS332P-HXY
- 商品编号
- C22367180
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
IRF9358PBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -11A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关