温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RHK003N06-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此场效应管为N型，电流0.3A，适用于低功率场景。电压60V，可在特定电路环境中稳定运行。内阻典型值1000mR，能量损耗较高。VGS为20V。在消费电子领域，可用于小型电子设备的电流调控。
- 商品型号
- RHK003N06-HXY
- 商品编号
- C22367172
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
DMP6180SK3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -20A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 58mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 67mΩ
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理