温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VN10LFTA-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- VN10LF 是一款N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高集成度电子设备设计。器件支持60V的漏源电压(VDSS)，并能稳定处理0.3A的连续漏极电流(ID)。其核心优势在于导通电阻仅为1000mR，确保在工作中实现低功耗与高效能。广泛应用于电源转换、负载开关控制、电机驱动等多种场景，是您优化电路性能和节能方案的理想半导体元件。
- 商品型号
- VN10LFTA-HXY
- 商品编号
- C22367173
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单