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BSH205G2R-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- BSH205G2R 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效、紧凑型电路设计。该器件具有20V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，且具有出色的导通性能，导通电阻低至120mR，有利于降低功耗并提升系统效率。广泛应用于电源管理、负载开关控制、低电压大电流逻辑转换等领域，是您优化电路设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- BSH205G2R-HXY
- 商品编号
- C22367177
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
BSH205G2R采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V，漏极电流（ID） = -2.3A
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 140 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -2.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 170 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- P沟道MOSFET