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RSD140P06-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流20A，可承载一定功率。电压60V，能在特定电路环境稳定运行。内阻典型值55mR，能量损耗适中。VGS为20V。在消费电子领域，可用于一些对电流有特定要求的电子设备中进行电流调控。
- 商品型号
- RSD140P06-HXY
- 商品编号
- C22367176
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NTR1P02L采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -2.3A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 140mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- P沟道MOSFET