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STD6NF10-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流15A，适用于特定功率场景。电压高达100V，能在相应电路中稳定工作。内阻典型值100mR，能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
- 商品型号
- STD6NF10-HXY
- 商品编号
- C22367157
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
SQD50P03-07采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -70A
- RDS(ON) < 10mΩ @ VGS = -10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源