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DMN65D8LQ-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 此场效应管为N型。电流为0.3A，适用于低电流需求的场合。电压达60V，可在较高电压环境下工作。内阻典型值1000mR。VGS为20V。可应用于各类电子产品中，在小电流、高电压的特定场景下进行电源控制和信号处理。
- 商品型号
- DMN65D8LQ-HXY
- 商品编号
- C22367163
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
FDD1600N10ALZ采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 15 A
- 当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 112 mΩ
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器