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BSS159N-HXY
N沟道 60V 300mA
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- 描述
- BSS159N 是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23-3L封装，专为高密度电路设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，并能处理0.3A的连续漏极电流(ID)。其导通电阻仅为1000mR，确保在导通状态下降低功耗，提高能源利用效率。适用于电源转换、负载开关、电机驱动等应用场合，是实现高性能、低功耗半导体解决方案的理想选择。
- 商品型号
- BSS159N-HXY
- 商品编号
- C22367169
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
BSS7728N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 0.3A
- RDS(ON) < 2Ω（VGS = 10V时）
- 静电放电等级：人体模型（HBM）≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源