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MMBF170-F-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- MMBF170-F 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代电子产品的小型化设计打造。器件具有60V的高耐压值(VDSS)，并能在系统中安全处理0.3A的连续漏极电流(ID)。其导通电阻仅为1000mR，有助于大幅度降低功耗，提升系统整体效能。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电路等领域，是实现高效、节能电子方案的理想半导体元件。
- 商品型号
- MMBF170-F-HXY
- 商品编号
- C22367167
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |