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BSH111BKR-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- BSH111BKR 是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适用于紧凑型电子设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载0.3A的连续漏极电流(ID)，且因其卓越的导通性能，导通电阻低至1000mR，有效减少能源损耗，提升系统效率。广泛运用于电源转换、开关控制、电机驱动等各种电路中，是您实现低功耗、高性能设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- BSH111BKR-HXY
- 商品编号
- C22367166
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
BSS159N采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 0.3A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 2Ω
- 静电放电等级：人体模型（HBM）≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源