BSH111BKR-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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描述
BSH111BKR 是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适用于紧凑型电子设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载0.3A的连续漏极电流(ID)，且因其卓越的导通性能，导通电阻低至1000mR，有效减少能源损耗，提升系统效率。广泛运用于电源转换、开关控制、电机驱动等各种电路中，是您实现低功耗、高性能设计的理想半导体元件。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
BSH111BKR-HXY商品编号
C22367166商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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