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2N7002E-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 2N7002E-T1-E3 N沟道MOS管采用小巧的SOT-23封装，特别适合空间有限的设计项目。该器件支持高达60V的漏源电压(VDSS)，并能提供0.3A的连续漏极电流(ID)，适用于低至中等电流级别的应用。其导通电阻RD(on)为1000mR，尽管相对较高，但在微小电流传输或信号控制方面表现出色。广泛应用于电源管理、逻辑电平转换、低功率电路控制等领域，是微型化电子产品的理想选择。
- 商品型号
- 2N7002E-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22367158
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
SFT1342采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V，漏极电流ID = -30A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 33 mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理