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2N7002E-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 2N7002E-T1-E3 N沟道MOS管采用小巧的SOT-23封装，特别适合空间有限的设计项目。该器件支持高达60V的漏源电压(VDSS)，并能提供0.3A的连续漏极电流(ID)，适用于低至中等电流级别的应用。其导通电阻RD(on)为1000mR，尽管相对较高，但在微小电流传输或信号控制方面表现出色。广泛应用于电源管理、逻辑电平转换、低功率电路控制等领域，是微型化电子产品的理想选择。
- 商品型号
- 2N7002E-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22367158
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |