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DMN601K-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流为0.3A，适合低功率需求。电压60V，可在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值1000mR，能量损耗较高。VGS为20V。在消费电子领域，可用于小型低功率电子设备的电流调控。(DMN601K-7)
- 商品型号
- DMN601K-HXY
- 商品编号
- C22367159
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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