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IRLR120NPBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- IRLR120NPbF N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，专为100V高电压环境下的中等电流应用设计。器件具备高达100V的漏源电压(VDSS)和10A连续漏极电流(ID)的能力，确保在高电压系统中的稳定运行。导通电阻RD(on)为140mR，尽管电阻略高，但依然可在适度电流条件下提供可靠的功率转换性能。适用于电源转换、电机控制、电池管理系统等场景，是寻求高性价比解决方案的理想选择。
- 商品型号
- IRLR120NPBF-HXY
- 商品编号
- C22367149
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
IRLR120NPBF采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 15A
- 在栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 112mΩ
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器