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SFT1342-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款场效应管为P型，电流为30A，可适应一定功率需求。电压达60V，适用于多种常见电路。内阻典型值29mR，能量损耗相对较高。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定功率电子设备的电流控制。
- 商品型号
- SFT1342-HXY
- 商品编号
- C22367142
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.026nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |
商品概述
RD3P050SNTL1采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 15 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 112 mΩ
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
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