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SQD19P06-60L_GE3-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- SQD19P06-60L_GE3 P沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，专为紧凑型、高效率电源设计。该器件提供60V的峰值漏源电压(VDSS)，并支持高达30A的连续漏极电流(ID)，确保在中高压环境下稳定工作。其导通电阻RD(on)为48mΩ，虽然不是最低，但兼顾了性能与成本，适合应用于负载开关、电源转换、低压电机驱动等领域，是寻求可靠性和性价比平衡方案的理想选择。
- 商品型号
- SQD19P06-60L_GE3-HXY
- 商品编号
- C22367143
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.026nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |