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SQD50P03-07-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流80A，能承载较大功率。电压30V，可在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值5.5mR，能量损耗较低。VGS为25V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流调控。
- 商品型号
- SQD50P03-07-HXY
- 商品编号
- C22367141
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SQD19P06 - 60LGE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -30A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 33mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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