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SQD50P03-07-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQD50P03-07-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:70A

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描述
此场效应管为P型,电流80A,能承载较大功率。电压30V,可在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值5.5mR,能量损耗较低。VGS为25V。在消费电子领域,可用于特定电子设备的电流调控。
商品型号
SQD50P03-07-HXY
商品编号
C22367141
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)3.45nF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+175℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)255pF

数据手册PDF