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IPD90N03S4L-03-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:160A
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- 描述
- IPD90N03S4L-03 是一款高功率N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，适用于大电流、高效率的电路设计。器件特点包括最大漏源电压(VDSS)30V，可承受高达150A的连续漏极电流(ID)，尤其突出的是其超低导通电阻(RD(on))仅为2mR，确保在大电流应用中实现卓越的能效比。此款MOS管广泛应用于电源转换、电动车充电设备、太阳能逆变器等高功率领域，是系统效能优化的理想选择。
- 商品型号
- IPD90N03S4L-03-HXY
- 商品编号
- C22367138
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.272nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 718pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTD4904N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 120A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 3.8mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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