IPD90N03S4L-03-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:160A

描述

IPD90N03S4L-03 是一款高功率N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，适用于大电流、高效率的电路设计。器件特点包括最大漏源电压(VDSS)30V，可承受高达150A的连续漏极电流(ID)，尤其突出的是其超低导通电阻(RD(on))仅为2mR，确保在大电流应用中实现卓越的能效比。此款MOS管广泛应用于电源转换、电动车充电设备、太阳能逆变器等高功率领域，是系统效能优化的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD90N03S4L-03-HXY

商品编号

C22367138

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.376克(g)