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IRFR8314PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:160A
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- 描述
- IRFR8314PbF N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，专为高性能电源管理和电机驱动应用设计。器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行，并能处理高达150A的连续漏极电流(ID)，展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻RD(on)仅为2mΩ，这将大幅度降低系统内部损耗，提升整体效率，成为开关电源、逆变器、充电设备等领域的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- IRFR8314PBF-HXY
- 商品编号
- C22367139
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDD8782采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 9 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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