IRFR8314PBF-HXY

1个N沟道耐压:30V 电流:160A

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描述: IRFR8314PbF N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，专为高性能电源管理和电机驱动应用设计。器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行，并能处理高达150A的连续漏极电流(ID)，展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻RD(on)仅为2mΩ，这将大幅度降低系统内部损耗，提升整体效率，成为开关电源、逆变器、充电设备等领域的理想半导体元件选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFR8314PBF-HXY
商品编号: C22367139
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3835克(g)

商品参数