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SUD35N10-26P-HXY实物图
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SUD35N10-26P-HXY

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:100V 电流:50A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    SUD35N10-26P N沟道MOS管,采用紧凑型TO-252-2L封装,专为高效率功率转换设计。该器件拥有100V的出色漏源耐压(VDSS),并能稳定承载高达50A的连续漏极电流(ID),充分体现了其卓越的功率处理性能。其导通电阻RD(on)为18mΩ,以较低的电阻损耗帮助提升系统能效,广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等场合,是高电压、大电流应用的理想选择。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    SUD35N10-26P-HXY
  • 商品编号

    C22367140
  • 商品封装

    TO-252-2L
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.381克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
属性参数值
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-

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