SUD35N10-26P-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
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描述
SUD35N10-26P N沟道MOS管，采用紧凑型TO-252-2L封装，专为高效率功率转换设计。该器件拥有100V的出色漏源耐压(VDSS)，并能稳定承载高达50A的连续漏极电流(ID)，充分体现了其卓越的功率处理性能。其导通电阻RD(on)为18mΩ，以较低的电阻损耗帮助提升系统能效，广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等场合，是高电压、大电流应用的理想选择。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SUD35N10-26P-HXY商品编号
C22367140商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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