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SUD35N10-26P-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流为50A，可满足一定功率需求。电压达100V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值18mR，能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定功率电子设备的电流控制。
- 商品型号
- SUD35N10-26P-HXY
- 商品编号
- C22367140
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.727nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRLR7821PBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 60 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 9 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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