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AOD508-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOD508-HXY

耐压:30V 电流:160A

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描述
AOD508 N沟道MOS管采用高效封装TO-252-2L,为现代电子产品的小型化和高性能需求量身定制。该器件具有30V的最大漏源耐压(VDSS),能够稳定承载高达150A的连续漏极电流(ID),凸显出卓越的电流处理性能。其核心亮点在于仅为2mΩ的超低导通电阻RD(on),有效减少了能量损失,提升了整体系统能效。广泛应用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动等多个领域,是追求高效、节能方案的不二之选。
商品型号
AOD508-HXY
商品编号
C22367136
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.375克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))1.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)87W
阈值电压(Vgs(th))2.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)143nC@10V
输入电容(Ciss)6.272nF
反向传输电容(Crss)718pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)1.022nF

数据手册PDF