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AOD508-HXY
耐压:30V 电流:160A
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- 描述
- AOD508 N沟道MOS管采用高效封装TO-252-2L，为现代电子产品的小型化和高性能需求量身定制。该器件具有30V的最大漏源耐压(VDSS)，能够稳定承载高达150A的连续漏极电流(ID)，凸显出卓越的电流处理性能。其核心亮点在于仅为2mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效减少了能量损失，提升了整体系统能效。广泛应用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动等多个领域，是追求高效、节能方案的不二之选。
- 商品型号
- AOD508-HXY
- 商品编号
- C22367136
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AUIRFR5305TR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -30A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 33mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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