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DMN3009SK3-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN3009SK3-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:160A

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描述
此场效应管为N型,电流为150A,可承载较大功率。电压30V,能在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值2mR,能量损耗低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定高功率电子设备的电流调控。
商品型号
DMN3009SK3-HXY
商品编号
C22367137
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.376克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))2.3mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)87W
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
栅极电荷量(Qg)143nC@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NTD4804N采用先进的沟槽技术,可提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 120A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 3.8mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF